Intel e
Numonyx B.V. hanno annunciato degli sviluppi molto interessanti nella ricerca sulla tecnologia
Pcm (Phase change memory). Questo tipo di memorie sono di tipo non volatile e combinano alcune caratteristiche tipiche di altri tipi di memoria.
La novità è che le due aziende hanno realizzato un dimostrazione di un
chip di test con capacità di 64 MByte che offre la possibilità di inserire
strati multipli di array Pcm in un singolo die di silicio. Il vantaggio consiste nella possibilità di
realizzare chip di memoria con capacità elevate, ma in spazi limitati e con consumi ridotti.
In pratica i ricercatori di Intel e Numonyx sono in grado di effettuare dimostrazioni di dispositivi che integrano verticalmente le celle di memoria grazie alla tecnologia
Pcms (Phase change memory and switch) che prevede la presenza di un
Ovonic Threshold Switch (Ots) fra gli strati di memorie Pcm. Questa innovazione è molto interessante se si considera che diventa sempre più difficile per i produttori proseguire con gli attuali tassi di incremento della capacità delle memorie conservando dimensioni contenute.
Maggiori dettagli su questa tecnologia saranno pubblicati in un documento intitolato "A Stackable Cross Point Phase Change Memory," che sarà presentato il 9 dicembre a Baltimora in occasione del 2009 International Electron Devices Meeting.