Samsung Electronics ha
annunciato l'entrata in produzione dei primi
chip NAND flash con processo a
20 nanometri. I nuovi chip saranno impiegati nella realizzazione di schede di memoria
SD e per soluzioni di memoria embedded.
Il presidente della divisione memorie per Samsung Electronics,
Soo-In Cho, ha dichiarato che: "ad un anno dall'avvio della produzione di memorie NAND a 30nm, Samsung ha reso disponibile la prossima generazione di soluzioni NAND a 20nm, che superano i requisiti posti dai clienti per soluzioni di memoria ad alta densità e ad elevate prestazioni. Le memorie a 20nm non solo rappresentano un importante passo avanti dal punto di vista delle tecnologie di processo, ma incorporano anche tecnologie avanzate che consentono sostanziali passi avanti sul versante delle prestazioni."
Il nuovo processo a 20 nm rende possibile un incremento nei volumi di produzione del
50% rispetto al precedente processo a 30 nm. Inoltre
la capacità di scrittura di una SD da 8GB realizzata con chip a 20nm risulta del
30% più veloce rispetto ad una scheda prodotta a 30 nm. Il colosso sudcoreano assicura che la qualità e l'affidabilità dei nuovi chip di memoria a 20nm è strettamente comparabile a quelle riscontrabili nelle precedenti soluzioni a 30 nm.
I chip di memoria a 20 nm sono entrati nella fase di produzione sample. La produzione vera e propria inizierà nei prossimi mesi. Le schede di memoria basate su chip a 20nm saranno disponibili su SD da
4GB a 64GB.