Secondo i ricercatori del MIT è possibile
produrre chip basandosi su materiali diversi dal silicio, superando dunque i limiti fisici imposti dal materiale. Nei laboratori del
Massachusetts Institute of Technology è stato realizzato un
prototipo di transistor che sfrutta arseniuro di indio-gallio e che potrebbe diventare la base dei futuri processori.
L’attuale modello
MOSFET misura 22 nm ed è stato composto tramite complessi procedimenti di allineamento tra il gate e gli elettrodi. Il composto monocristallino che compone il sottile strato di materiale è stato ottenuto sfruttando un processo di evaporazione dei materiale di base (indio, gallio e arsenico), tramite la tecnica dell’epitassia da fasci molecolari.
Dopo aver depositato una sezione di molibdeno sulla base e il collettore è stato generato un modello sul substrato, tramite un fascio di elettroni. A seguire è stato asportato il materiale in eccesso è stato applicato uno strato isolante, il cosiddetto ossido di gate. La successiva evaporazione del molibdeno precedentemente depositato permette la formazione del gate tra i due elettrodi.
Al momento, la ricerca è nella fase di sperimentazione e ottimizzazione.
Si cerca infatti di migliorare le prestazioni elettriche del transistor e, solo successivamente sarà possibile tentare una ulteriore miniaturizzazione scendendo al di sotto dei 10 nm nel processo produttivo.