Intel avvierà a breve i lavori per la costruzione di uno stabilimento in grado di generare semiconduttori su wafer da 450 mm, anziché con il tradizionale formato da 300 mm. Il chip maker intende
ampliare la Fab D1X di Hillsboro entro il 2015 e ha già stanziato circa 2 miliardi di Dollari per l’inizio dei lavori.
Attualmente la sede si occupa di
produrre wafer standard a 14 nm ma è già predisposta per la produzione a 450 mm.
Nonostante questo, in quest’area si svolgono principalmente
operazioni di ricerca e sviluppo. La realizzazione di un secondo comparto consentirà di espandere le attuale capacità della struttura,
aggiungendo un’area specificamente attrezzata per la gestione dei nuovi wafer, con una superficie superiore ai 100mila mq.
Per sottolineare le intenzioni produttive per il prossimo futuro, Intel ha recentemente
mostrato a un pubblico selezionato, le proprie soluzioni con wafer da 450 mm. Pur trattandosi di campioni iniziali, la sezione già incisa rappresenta un primo passo verso la produzione finale dei prossimi anni.
Una volta ultimati i processi di costruzione e approvvigionamento del nuovo comparto della
Fab D1X sarà possibile avviare la produzione, con un processo che promette di abbassare i costi dei singoli chip, grazie alla possibilità di lavorarne un maggior numero alla volta.
Il mercato potrà dunque disporre di nuove unità a
costi probabilmente inferiori.