Hanno una capacità di
32 GByte le nuove memorie flash di
Toshiba con tecnologia
NAND. Si tratta di componenti destinati a applicazioni
embedded come per esempio cellulari, videocamere e altri tipi di prodotti consumer, Le nuove memorie, costruite con un processo produttivo a 43 nanometri, sono compatibili con gli standard e
-MMC e eSD, e saranno disponibili per i produttori di device a Settembre 2008. La produzione di massa partirà nel quarto trimestre.