Samsung ha iniziato la fase di campionamento dei primi esemplari di memoria
DDR3 da 2 Gigabit. Grazie all'adozione di un processo produttivo a
50 nanometri, la produttività dei nuovi chip, dichiara Samsung, è migliore del 60% rispetto ai chip di memoria DDR2 di pari densità . I nuovi moduli RIMM di memoria basati su questi chip possono raggiungere la capacità
di 16 GByte e con un consumo di oltre il 40% di quelli dei moduli di memoria DDR3 da 1 Gbit.Il form factor ridotto di questi chip permette l'uso di fino a 8 GByte per i moduli RIMM o anche capacità fino a 4 GByte per i moduli SO-DIMM per portatili.
I 16 GByte per modulo si possono ottenere con package di tipo dual-die.Per le prestazioni, i nuovi componenti supportano un data rate fino 1,3 Gigabit/s a 1,5 V e 1,35 V. Il processo produttivo a 50 nanometri si prevede che diventerà quello utilizzato principalmente da Samsung nel prossimo anno.