Presenta la tecnologia dei transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili TOKYO:
Kioxia Corporation, azienda leader mondiale nelle soluzioni di memoria, oggi ha annunciato lo sviluppo di transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili che consentiranno l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico. Questa tecnologia è stata presentata al IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) che si è svolto a San Francisco, USA, il 10 dicembre, e che potenzialmente riduce il consumo energetico in un'ampia gamma di applicazioni, compresi server di intelligenza artificiale e componenti IoT. Nell'era dell'AI, cresce la domanda di memoria DRAM con maggiore capacità e consumo energetico ridotto, in grado di elaborare grandi quantità di dati. Fonte:
Business Wire