Celle di memoria SRAM sempre più piccole

Toshiba Corporation, IBM e AMD hanno annunciato lo sviluppo congiunto di memoria SRAM con celle delle dimensioni di 0,128 micrometri quadrati, le più piccole sinora realizzate. Le celle usano fin-shaped Field Effect Transistors (FinFET) e il materiale utilizzato è high-k/metal gate (HKMG). Questi componenti offrono interessanti prospettive per la realizzazione delle prossime generazioni di memorie e microprocessori.Infatti le tecnologie attualmente utilizzate presentano dei problemi che diventeranno determinanti nello sviluppo di componenti con processi produttivi intorno a 22 nanometri (attualmente siamo arrivati a 32 nm). L'uso di FinFET, che anzichà© avere uno sviluppo planare lo hanno in verticale, è un interessante approccio per risolvere il problema e consentire di realizzare celle di memeria più piccole.