Samsung ha annunciato lo sviluppo di memorie costruite con processo produttivo a 40 nanometri. Si tratta di componenti da
1 Gbit di DDR2 e corrispondenti moduli
SO-DIMM a 800 Mbps a 1 GByte. I componenti sono stati certificati all'interno
dell'Intel Platform Validation program per l'impiego con il chipset
GM45 series Express mobile di Intel.
Samsung prevede di utilizzare la tecnologia produttiva a 40 nm per lo sviluppo di dispositivi
DDR3 da 2 Gbit la cui produzione in volume è prevista per la fine del 2009.
La tecnologia a 40 nanometri permette di ridurre le tensioni rispetto ai dispositivi costruiti con processo a 50 nm, elemento che Samsung ritiene possa permettere di ridurre fino al 30%. i consumi. Il processo produttivo a 40 nm permette inoltre di aumentare la produttività del 60% rispetto a quello a 50 nm.