Numonyx ha prodotto i primi campioni della memoria
flash NOR multi-level cell (MLC) basata sulla tecnologia di processo a
45 nanometri.
Il dispositivo da
1 Gbit monolitico (single chip) a 45 nm è basato sull'architettura Numonyx
StrataFlash Memory ed è compatibile con i prodotti flash NOR di Numonyx a 65 nm. La compatibilità e la continuità architetturali consentono ai produttori di telefoni cellulari di ridurre i costi di sviluppo, prolungare la durata delle attuali piattaforme e rendere disponibili più velocemente sul mercato nuovi prodotti.
La nuova tecnologia permetterà anche di
aumentare la velocità di scrittura dei dati fino al
+50% in più rispetto alla precedente generazione.
Quest'ultima generazione di tecnologia di memoria flash di tipo NOR rappresenta un ulteriore balzo in avanti nelle tecniche di progettazione. Il nuovo approccio di tipo "
Self-aligned contact" (SAC) permette ai prodotti di memorie flash NOR di Numonyx di garantire maggiore scalabilità , pur mantenendo la compatibilità con le precedenti generazioni.
Numonyx sta producendo campioni in quantità e densità limitate, e prevede di introdurre entro l'anno prodotti basati su questa tecnologia.
La produzione completa in volumi è prevista nel 2010.