Samsung Electronics ha fatto partire la distribuzione dei moduli con memorie
DDR3 basato si chip da 2 Gbit costruiti con un processo produttivo a
50 nanometri. Le configurazioni disponibili per questi moduli ad alta densità sono complessivamente 18, compresi quelli da 16 GByte di capacità di tipo Registered (
RIMM) e quelli
RDIMM da 8 GByte. I moduli da 16 GByte operano
a 1066 Mbps e permettono di raggiungere una densità di 192 Gbyte su server dual socket. La nuova gamma di memorie Sansung comprende anche moduli RDIMM da 16 GByte che operano a
1,35V, consentendo una riduzione dei consumi rispetto a quello operanti a 1,5V.