Intel Corporation e
Micron Technology hanno annunciato una tecnologia per memorie
Flash NAND che migliora nettamente le prestazioni rispetto a quelle usate attualmente. La nuova tecnologia è prodotta da
IM Flash Technologies (IMFT), una joint venture istituita tra Intel e Micron. La nuova memoria NAND ad alta velocità è in grado di leggere i dati a velocità fino a
200 Megabyte al secondo e di scriverli a
100 MByte/s, un risultato ottenuto sfruttando la nuova specifica
ONFI 2.0 e un'architettura di tipo four-plane. In confronto, la tradizionale NAND SLC (Single Level Cell) è limitata a 40 MByte/s in lettura e a meno di 20 MByte/s in scrittura.Questa nuova tecnologia favorirà lo sviluppo di altre, come per esempio, quella
USB 3.0 che, secondo gli obbiettivi, offrirà una larghezza di banda 10 volte più ampia rispetto alle attuali soluzioni USB 2.0, ovvero circa 4,8 Gigabit al secondo.