Intel e Micron sviluppano memorie flash a 25nm

Intel e Micron, insieme nella Intel Micron Flash Technologies (IMFT), hanno annunciato di aver terminato lo sviluppo delle tecnologie necessarie alla produzione di nuove memorie NAND flash, quelle memorie che troviamo nei dispositivi portatili e negli hard disk a stato solido, per intenderci.
Il nuovo tipo di memoria si avvarrà  di processo costruttivo a 25nm e sarà  composto da celle capaci di memorizzare 2 bit ciascuna: le due società  hanno già  prodotto una NAND flash MLC (multi-level-cell) da 8GB con la nuova tecnologia. La produzione in grossi volumi dovrebbe cominciare entro metà  2010. La novità  è estremamente interessante perchà©, potenzialmente, potrebbe rivoluzionare il mondo dello storage.
I dischi fissi a stato solido, infatti, sono perfetti per dispositivi portatili e computer ultrasilenziosi, ma hanno lo svantaggio di costare molto in relazione alla capacità  di storage offerta. Il nuovo processo costruttivo permette di superare nettamente il limite di 512GB odierno e di ridurre la necessità  di spazio. Conseguentemente, Intel si aspetta una drastica diminuzione del prezzo delle memorie e una loro grande diffusione. La nuova tecnologia sarà  implementata nella generazione successiva alle memorie X-25M G2 a 32nm, altro grosso passo in avanti compiuto da IMFT. I nuovi dispositivi di memorizzazione necessiteranno forse di qualche aggiustamento a livello di firmware e gestione di I/O di dati, ma le possibilità  che offrono sono davvero interessanti: si potranno produrre SSD fino a 600GB già  entro la fine del 2010, a un prezzo di vendita molto più basso. La corsa alla miniaturizzazione ha un nuovo leader.