Intel e
Micron, insieme nella
Intel Micron Flash Technologies (
IMFT), hanno annunciato di aver terminato lo sviluppo delle tecnologie necessarie alla produzione di nuove
memorie NAND flash, quelle memorie che troviamo nei dispositivi portatili e negli hard disk a stato solido, per intenderci.
Il nuovo tipo di memoria si avvarrà di
processo costruttivo a 25nm e sarà composto da celle capaci di memorizzare
2 bit ciascuna: le due società hanno già prodotto una
NAND flash MLC (multi-level-cell) da
8GB con la nuova tecnologia. La produzione in grossi volumi dovrebbe cominciare entro
metà 2010. La novità è estremamente interessante perchà©, potenzialmente, potrebbe rivoluzionare il mondo dello
storage.
I dischi fissi a stato solido, infatti, sono perfetti per dispositivi portatili e computer ultrasilenziosi, ma hanno lo svantaggio di
costare molto in relazione alla capacità di storage offerta. Il nuovo processo costruttivo permette di superare nettamente il limite di
512GB odierno e di
ridurre la necessità di spazio. Conseguentemente, Intel si aspetta una drastica diminuzione del prezzo delle memorie e una loro grande diffusione. La nuova tecnologia sarà implementata nella generazione successiva alle memorie
X-25M G2 a
32nm, altro grosso passo in avanti compiuto da IMFT. I nuovi dispositivi di memorizzazione necessiteranno forse di qualche aggiustamento a livello di
firmware e gestione di I/O di dati, ma le possibilità che offrono sono davvero interessanti: si potranno produrre
SSD fino a
600GB già entro la fine del 2010, a un prezzo di vendita molto più basso. La corsa alla miniaturizzazione ha un nuovo leader.
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