Utilizzando il processo produttivo a
50 nanometri,
Samsung Electronics ha sviluppato i primo
chip da 4 Gbit di memoria DDR3. Questi chip possono essere inseriti in moduli di memoria
RDIMM (registered dual in-line memory modules) da 16 GByte da utilizzare nei server, ma anche in moduli
unbuffered DIMM (UDIMM) da
8 GByte per PC e workstation. Utilizzando la tecnologia
dual-die package si possono realizzare moduli di memoria
fino a 32 GByte, che di fatto offrono una densità doppia rispetto agli attuali. Moduli di memoria di questa capacità sono in grado di ridurre i costi nei data center e i consumi nei server.
Le nuove memorie di Samsung funzionano a
1.35 volt, mentre la massima velocità è di
1,6 Gigabit al secondo.