Memorie da 4 Gbit da Samsung

Utilizzando il processo produttivo a 50 nanometri, Samsung Electronics ha sviluppato i primo chip da 4 Gbit di memoria DDR3. Questi chip possono essere inseriti in moduli di memoria RDIMM (registered dual in-line memory modules) da 16 GByte da utilizzare nei server, ma anche in moduli unbuffered DIMM (UDIMM) da 8 GByte per PC e workstation. Utilizzando la tecnologia dual-die package si possono realizzare moduli di memoria fino a 32 GByte, che di fatto offrono una densità  doppia rispetto agli attuali. Moduli di memoria di questa capacità  sono in grado di ridurre i costi nei data center e i consumi nei server.
Le nuove memorie di Samsung funzionano a 1.35 volt, mentre la massima velocità  è di 1,6 Gigabit al secondo.


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