Toshiba Corporation ha sviluppato un prototipo di di memoria
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ad alta densità :
128 Mbit. Non soltanto la densità , ma anche le
prestazioni sono di spicco visto che per questa memoria non volatile vengono dichiarate velocità di scrittura fino a 1,6 GByte/s.
La tecnologia FeRAM modifica l'architettura originale
chainFeRAM di Toshiba e riesce e limitare il degrado dei segnali delle celle.La tecnologia FeRAM combina in pratica le caratteristico di velocità operativa tipiche delle memoria DRAM, con la capacità di conservare le informazioni anche senza alimentazione tipica delle memorie Flash. Questa tecnologia ha interessanti applicazioni nello sviluppo di memoria da usare in telefono cellulari, drive SSD e device alimentati a batteria in generaleIl processo produttivo è a
130 nanometri e le dimensioni delle celle sono di 0,252 μm2.