RAM non volatile a alta densità  daToshiba

Toshiba Corporation ha sviluppato un prototipo di di memoria FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ad alta densità : 128 Mbit. Non soltanto la densità , ma anche le prestazioni sono di spicco visto che per questa memoria non volatile vengono dichiarate velocità  di scrittura fino a 1,6 GByte/s.
La tecnologia FeRAM modifica l'architettura originale chainFeRAM di Toshiba e riesce e limitare il degrado dei segnali delle celle.La tecnologia FeRAM combina in pratica le caratteristico di velocità  operativa tipiche delle memoria DRAM, con la capacità  di conservare le informazioni anche senza alimentazione tipica delle memorie Flash. Questa tecnologia ha interessanti applicazioni nello sviluppo di memoria da usare in telefono cellulari, drive SSD e device alimentati a batteria in generaleIl processo produttivo è a 130 nanometri e le dimensioni delle celle sono di 0,252 μm2.




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