La ricerca di
Samsung nel campo delle tecnologie
Solid State Drive (SSD) si arricchisce dell'importante contributo della partnership con
Sun Microsystems. Con Sun, l'azienda ha realizzato una nuova memoria flash
NAND di tipo
single-level-cell adatta all'utilizzo proprio in dispositivi di memoria di massa di tipo SSD, con caratteristiche tali da garantire una durata e una resistenza molto superiore rispetto a qualsiasi altra memoria flash attualmente presente sul mercato. Le memorie flash, infatti, tendono a deteriorarsi a ogni riscrittura, perdendo progressivamente la loro capacità di memorizzazione nel tempo.
Queste nuove memorie sviluppate con Sun estendono in modo considerevole il ciclo di vita di ogni processo di riscrittura dei dati, rendendole ideali per utilizzi in dispositivi che operano continuamente in fasi di lettura/scrittura e non solo in lettura, come per esempio nei computer che agiscono come server. Il vantaggio delle memorie flash, e in particolare di questi banchi di memoria realizzati con Sun, è la maggiore velocità di prelievo e immissione di dati rispetto agli hard disk tradizionali. Rispetto a questi si registra un incremento di velocità di
100 volte superiore nel numero di trasferimenti di dati per watt di energia consumata. Il risparmio energetico garantito da queste memorie perciò è davvero consistente, soprattutto in server che sviluppano grandi volumi di transazioni input/output. Gli utilizzi ideali delle nuove memorie sono in applicazioni di video streaming, in tutti i dispositivi che processano un elevatissimo volume di informazioni in tempi brevi, nei motori di ricerca e in altre funzioni tipiche dei server che operano a una velocità di elaborazione di dati elevata.
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