L'
ISSCC, che si svolge dal 3 al 7 febbraio a san Francisco, è da sempre un appuntamento per conoscere gli
sviluppi tecnologici e di prodotto dell'industria dei semiconduttori. In questa occasione,
Intel ha fornito i primi dettagli su
Silverthorne, nome in codice di un nuovo processore low power, e su
Tukwila, nome in codice del nuovo
Itanium quad core costruito con ben
2 miliardi di transistor. Silverthorne sarà una CPU IA costruita con un processo produttivo a 45 nanometri e tecnologie
High-К Metal-Gate CMOS, ottimizzata per i device Internet mobile. Questo processore disporrà di una nuova microarchitettura per lavorare con consumi davvero molto ridotti rispetto agli attuali. Disporrà di pipeline
Dual issue in-order e della tecnologia
HT. Sarà compatibile con i processori Core 2 Duo, ma la vera rivoluzione sarà legata ai consumi, 10
volte inferiori a quelli di un processore Dothan Ultra Low Voltage. Anche questa CPU disporrà dell'architettura C6 per il sistema di power management, conosciuta anche con il nome di Deep Power Down. L'architettura implementerà delle ottimizzazioni per i registri e cache.Per Tukwila, invece, le informazioni fornite da Intel indicano una frequenza di
clock di 2 GHz e una struttura quad core con 2 miliardi di transistor. Per le performance, i dati parlano del doppio rispetto a un Itanium dual core della serie 9100
(Montvale). La cache integrata nel die sarà di
30 MByte, mentre per i collegamenti sarà usata la tecnologia QuicPath Interconnect. La CPU disporrà di due controller per la memoria integrati.
[tit:Non solo CPU]
Microfotografia di una Multi Level Cell con tecnologia PCM
Intel non ha fatto il punto solamente sui processori, ma anche su nuove tecnologie wireless e tecnologie per le memorie. Per la parte wireless, gli sviluppi comprendono il primo amplificatore di potenza CMOS in classe E costruito con un processo produttivo a 65 nanometri. Tra le altre tecnologie che troveremo nell'immediato futuro ci sono quelle per
sezioni radio CMOS riconfigurabili, antenne sintonizzabili, e sistemi multi radio digitali.Per le memorie, uno sviluppo molto interessante è quello legato alle
Multi Level Cell con tecnologia PCM (Phase Change Memory). All'evento di San Francisco è stato presentato il primo dispositivo dimostrabile con questo tipo di tecnologia, sviluppato grazie a una joint venture tra
Intel e ST Microelectronics. La tecnologia prevede la possibilità di creare due stati aggiuntivi tra quello amorfo e quello cristallino. Sempre per le memorie, Intel ha presentato quelle integrate a alta densità costruite con processo produttivo a
65 nanometri. La densità è doppia rispetto a quella di una normale SRAM, ma anche la velocità è nettamente maggiore:
128 GByte/s per frequenze di funzionamento di 2 GHz e 2 ns come tempo di accesso.
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