La realizzazione di wafer di dimensioni maggiori, attualmente siamo a 300 mm di diametro, consente di realizzare semiconduttori a costi inferiori. Per questo motivo
Intel Corporation,
Samsung Electronics e
TSMC hanno raggiunto un accordo per avviare la transizione verso wafer da 450 mm,
a partire dal 2012. L'area superficiale totale di un wafer di silicio da 450 mm e il numero di die stampati (i singoli chip per computer, per esempio) risultano più che raddoppiati rispetto a un wafer da 300 mm. I wafer più grandi implicano una riduzione dei costi di produzione per chip. Inoltre, con un utilizzo più efficiente dell'energia, dei wafer e di altre risorse, i wafer più grandi contribuiscono a ridurre l'utilizzo complessivo di risorse per chip. Ad esempio, con la conversione dai wafer da 200 mm a quelli da 300 mm è stato possibile ridurre le emissioni aggregate per chip di inquinamento atmosferico, gas serra e acqua, e con la transizione ai wafer da 450 mm si prevede un'ulteriore riduzione. Secondo Intel, Samsung e TSMC, il settore dei semiconduttori può registrare un aumento del ritorno sugli investimenti e una riduzione sostanziale dei costi di ricerca e sviluppo nel campo dei wafer da 450 mm applicando standard allineati, razionalizzando le modifiche rispetto all'infrastruttura e all'automazione dei 300 mm e impegnandosi verso un obiettivo temporale comune. Le aziende concordano inoltre che, tramite un approccio cooperativo, sarà possibile ridurre i rischi e i costi della transizione. Nel passato la migrazione a wafer di dimensioni più grandi avveniva solitamente ogni 10 anni dopo l'ultima transizione. La transizione ai wafer da 300 mm ad esempio, è iniziata nel 2001, dieci anni dopo l'introduzione dei primi impianti di produzione da 200 mm (le cosiddette "fab"), avvenuta nel 1991. In linea con questo ritmo di crescita, Intel, Samsung e TSMC considerano il 2012 come un obiettivo appropriato per l'avvio della transizione ai 450 mm.
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