IBM ha realizzato un chip di nuova generazione, basato su tecnologia nanofotonica in silicio (CMOS-integrated nanophotonics), un particolare dispositivo che comprende
componenti elettrici e fotonici, costruiti a 90 nm SOI e in grado di interagire direttamente.
Di fatto, sulla stessa unità sono integrati elementi di due nature differenti e, per raggiungere questo obiettivo, è stato utilizzato un
design monolitico con un transfer rate di 1 terabit/s, ma futuri sviluppi permetteranno possibili velocità nell’ordine degli exabit. Sullo stesso layer sono disposti convenzionali transistor e resistori, ma anche elementi ottici miniaturizzati, come
fotorivelatori e modulatori al germanio con transfer rate di 25 Gbps.
Nello specifico, sfruttando transricevitori delle dimensioni di appena 0,5 mm2 è possibile costituire blocchi di elementi ottici per la connessione di dispositivi in fibra,
raggiungendo performance di 1,2 terabit/s.
Il passo successivo, cioè la produzione commerciale in volumi, è possibile secondo IBM, che
ha dimostrato come sia possibile realizzare questi sistemi con costi di produzione ridotte e possibili unità entro due anni. L’attuale versione sarà integrata in via preliminare nelle reti di supercomputer e data center, per incrementare la banda passante e rimuovere i colli di bottiglia che rallentano il flusso di informazioni tra banchi di processori.
Le implicazioni per gli anni a venire sono molteplici, questa tecnologia pionieristica
potrà probabilmente divenire lo strumento per migliorare le capacità dei sistemi largamente utilizzati in ambito professionale e domestico. La futura integrazione nelle CPU per desktop, notebook e smartphone permetterebbe notevoli passi in avanti sul fronte delle potenziali di elaborazione dei dispositivi di tutti i giorni.
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