Toshiba STT-MRAM, cache ad elevata efficienza

Toshiba ha recentemente annunciato di aver a disposizione la tecnologia STT-MRAM, sviluppata per la realizzazione di memorie capaci di offrire maggiore efficienza e che potranno sostituire le tradizionali SRAM cache dei chip attualmente in uso. Le STT-MRAM, o Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory, sfruttano gli spin degli elettroni per determinare l’orientamento magnetico dei bit.
Il vantaggio principale è offerto dai consumi contenuti e inferiori ai moduli statici SRAM, largamente impiegati come cache all’interno di alcune categorie di processori. L’abbattimento dei consumi sarebbe in misura del 90% in meno rispetto alle attuali Static Random Access Memory, a tutto vantaggio delle soluzioni mobile, dove temperature e autonomia sono parametri essenziali.
Secondo Toshiba, l’attuale progetto STT-MRAM ha portato allo sviluppo di una soluzione che non richiede una specifica gestione dell’alimentazione, con una dispersione di corrente nulla, sia durante le fasi di standby, sia quando è operativa. Alcune simulazioni pratiche avrebbero registrato una riduzione dei consumi di circa il 66%. Nel complesso, una simile soluzione, attualmente solo in fase sperimentale, potrebbe fare gola a molti integratori, per migliorare l’efficienza e le performance dei sistemi integrati e dei cosiddetti SoC (System on chip).

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