IBM e Samsung hanno annunciato
un nuovo chip chiamato VTFET, una svolta per i semiconduttori non solo dal punto di vista della progettazione convenzionale, ma anche e soprattutto per le potenzialità in termini di performance e riduzione dei consumi energetici - si stima che VTFET necessiterà fino all'85% di energia in meno.
Sviluppato da un team congiunto di ricercatori dell'
Albany Nanotech Complex - uno dei centri più avanzati nell'innovazione dei semiconduttori a livello globale - il prototipo di IBM e Samsung, nuovo nel design, ha un'architettura a transistor verticale basata sulla superficie di un chip. Questo permette ad un numero esponenziale di transistor di essere impilati in verticale all'interno di un chip, rimuovendo i vincoli di densità ed efficienza energetica degli attuali transistor, che sono disposti orizzontalmente per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore.
La
riduzione di energia risultante potrebbe portare a significativi miglioramenti nelle prestazioni in svariati ambiti, come:
- le batterie dei telefoni cellulari che potranno durare più di una settimana senza essere caricate, invece che giorni;
- i processi ad alta intensità energetica, come le operazioni di criptomining e la crittografia dei dati, che potrebbero richiedere molta meno energia e avere una minore impatto sull'impronta di carbonio;
- l'espansione dell'Internet of Things (IoT) e dei dispositivi edge che potrebbe essere accelerata - richiedendo meno energia per operare in ambienti difficili, come boe oceaniche, veicoli a guida autonoma e veicoli spaziali.
L'Albany Nanotech Complex e IBM hanno anche collaborato
per produrre i transistor a 2nm, basati sui chip più densi e più efficienti dal punto di vista energetico mai realizzati fino ad oggi. Il centro è il risultato di miliardi di dollari di investimenti in R&S sui semiconduttori ed è un hub condiviso tra pubblico e privato per la ricerca e la collaborazione scientifica ed è tra i candidati del governo degli Stati Uniti a sede del National Semiconductor Tecnology Center.
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