Memorie Flash: un nuovo passo avanti da Toshiba

Toshiba Corporation ha annunciato un nuovo step nell'evoluzione delle memorie Flash NAND. Si tratta della realizzazione di memorie con 3 bit per cella e costruite con un processo produttivo a 32 nanometri. I vantaggi principali consistono nell'aumento di densità  e nel risparmio dei costi. Questi componenti dovrebbero essere prodotti in volume nella seconda metà  del 2009. Toshiba ha anche annunciato la realizzazione del primo chip da 64 Gbit che usa la tecnologia a 4 bit per cella usando un processo produttivo a 43 nanometri e capaci di raggiungere una velocità  n scrittura di 7,8 MByte/s.


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