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Memorie Flash 5 volte più veloci da Intel e Micron

Intel e Micron hanno sviluppato una nuova tecnologia per le memorie Flash NAND che miglioreranno le prestazioni per applicazioni di computing, video, fotografia e altri segmenti consumer.

Autore: Redazione Technology

Pubblicato il: 12/02/2008

Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato una tecnologia per memorie Flash NAND che migliora nettamente le prestazioni rispetto a quelle usate attualmente. La nuova tecnologia è prodotta da IM Flash Technologies (IMFT), una joint venture istituita tra Intel e Micron. La nuova memoria NAND ad alta velocità  è in grado di leggere i dati a velocità  fino a 200 Megabyte al secondo e di scriverli a 100 MByte/s, un risultato ottenuto sfruttando la nuova specifica ONFI 2.0 e un'architettura di tipo four-plane. In confronto, la tradizionale NAND SLC (Single Level Cell) è limitata a 40 MByte/s in lettura e a meno di 20 MByte/s in scrittura.Questa nuova tecnologia favorirà  lo sviluppo di altre, come per esempio, quella USB 3.0 che, secondo gli obbiettivi, offrirà  una larghezza di banda 10 volte più ampia rispetto alle attuali soluzioni USB 2.0, ovvero circa 4,8 Gigabit al secondo.


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